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SI8902EDB-T2-E1中文资料

SI8902EDB-T2-E1图片

SI8902EDB-T2-E1外观图

  • 大小：243KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
  • 数据列表：SI8902EDB
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 毫欧 @ 1A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 980µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-MICRO FOOT?CSP
  • 供应商设备封装：6-Micro Foot?
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI8902EDB-T2-E1TR

SI8902EDB-T2-E1供应商

更新时间:2023-01-11 14:25:24
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SIR470DP-T1-GE3S-L2980A30PN-C6PTFSP385ECTSAFED1G96FA0F00R12SN65HVD35DRSK510BSTD4NK60Z-1SIR428DP-T1-GE3SM8121AH-G-ELS-1111B25MC-NYKTFG

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