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SI8902EDB-T2-E1中文资料

SI8902EDB-T2-E1图片

SI8902EDB-T2-E1外观图

  • 大小:243KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
  • 数据列表:SI8902EDB
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 980µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-MICRO FOOT?CSP
  • 供应商设备封装:6-Micro Foot?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI8902EDB-T2-E1TR

SI8902EDB-T2-E1供应商

更新时间:2023-01-11 14:25:24
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